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一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法，该发明在P型氮化镓上制备电流阻挡层的同时制备了金属反射镜材料体系，从而在减少电极下方电流集中注入的现象同时，还可以使入射到电极体系上的部分光线反射回发光二级管内部。取外延结构；运用光刻办法，在外延结构的P型氮化镓上制作光刻胶掩膜形成N型台阶；采用蒸镀或溅射方法制作金属反射层，将电极位置以外的金属层剥离掉，形成金属反射层；运用等离子体增强化学气相沉积方法，在金属反射层上形成电流阻挡层；采用腐蚀液将没有光刻胶掩膜部分的透明导电薄膜去除后形成透明导电薄膜；蒸镀或溅射方法制作金属层形成金属电极；在外延片表面制作一层薄膜材料。
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