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一种高立方织构高钨含量Ni-W合金基带的制备方法
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本发明公开了一种高立方织构高钨含量Ni-W合金基带的制备方法，属于高温超导涂层导体金属基带技术领域。本发明采用轧制间热处理的方法，通过改善冷轧基带形变织构，并增加冷轧基带中立方取向晶粒的含量，从而有效改善高钨含量NiW合金基带立方织构的含量，获得高立方织构含量的金属基带。本发明所制备的高钨含量NiW合金基带机械强度高，无(低)磁性，具有良好的表面质量和锐利的立方织构，可以满足进一步提高YBCO涂层导体性能的要求。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201110377866.0
申请日期： 2011-11-24
公开(公告)日： 2012-06-20
公开(公告)号： CN102500638A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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