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本发明公开了单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法。本发明包括以下步骤:1.激光扫描开孔定位:软件绘制所需制绒图形(CAD绘制),皮秒激光依照图形在清洗后的硅片表面进行扫描开孔,形成微米级倒锥形孔均匀分布的绒面;2.酸洗孔状绒面:先用HF酸漂洗,再进行蒸馏水清洗。3.酸洗孔状绒层:先用HF酸漂洗,再进行超纯水清洗。4.制备倒金字塔绒面:将酸洗后的样品放入配置好的碱性溶液中水浴加热,制备出微米级倒金字塔绒面。本发明省去了制备和去除掩膜工艺,代之以激光扫描开孔技术,制绒区域的大小和形状可通过软件(CAD)进行定制;在太阳光谱光子密集的400nm-700nm波段具有优异的减反效果,反射率达到了5%。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201310271137.6

申请日期: 2013-06-30

公开(公告)日: 2013-12-04

公开(公告)号: CN103426736A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 撤回

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