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摘要：
硅纳米球颗粒阵列层作为太阳能电池表面减反陷光层的应用，属于太阳能电池技术领域。硅纳米球的直径在100-1000nm之间，填充率在0.05-0.4之间；以填充率为0.09时的硅纳米球阵列为例，可以得出在可见光波段(300-850nm)内，SiNSA的反射率始终保持在0.4%以下，同时具有98%以上的高透过率，表现出优异的减反、陷光性能。这种太阳能电池表面新型陷光结构的应用将进一步提高陷光效果，有助于太阳能电池效率的提高。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201310287057.X
申请日期： 2013-07-09
公开(公告)日： 2013-10-23
公开(公告)号： CN103367466A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 驳回
归属院系：
