高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[专利]
一种改进压焊结构的半导体激光器
作者：
收录：
摘要：
一种改进压焊结构的半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的外延片结构；且利用湿法腐蚀将外延片两侧腐蚀P型欧姆接触层到P型限制层，深度范围为：400nm-600nm，从而形成脊形台，在半导体激光器芯片背面脊形台两侧对应的的位置腐蚀出压焊点。本实用新型提供的压焊方法接触面积大，不损伤表面，压焊方便。
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
专利基本信息 ：
专利类型： 实用新型
申请(专利)号： CN201220721626.8
申请日期： 2012-12-24
公开(公告)日： 2013-08-21
公开(公告)号： CN203150900U
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
学院待认领
专利获取
外部链接：
