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双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200),另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400),通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100);半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14);两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器,达到激射波长的动态、可调的目的。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201010616548.0

申请日期: 2010-12-30

公开(公告)日: 2012-07-11

公开(公告)号: CN102570301A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 未缴年费

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