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一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片
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本发明公开了一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片结构，属于半导体激光技术领域。本发明在现有大功率半导体激光器外延材料体系基础上增加生长二极管，该二极管可以防止浪涌和静电等不利因素对半导体激光芯片的损伤，起到保护器件，延长使用寿命的作用。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201210515020.3
申请日期： 2012-12-04
公开(公告)日： 2013-04-03
公开(公告)号： CN103022891A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 撤回
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