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高功率半导体激光器防止反射光损伤装置
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本实用新型涉及一种高功率半导体激光器防止反射光损伤装置，属于激光技术领域。本装置在半导体激光发光芯片的出射光路中依次放置偏振器件和λ/4波片，利用半导体激光束是线偏振光的特性，通过λ/4波片改变反射光束的偏振特性，再采用偏振器件阻止反射光反射到半导体激光器的发光芯片上，由此使得工件反射的部分光束无法照射到半导体激光发光芯片的表面，实现了半导体激光器在激光材料加工过程中防止反射光损伤的目的，延长了高功率半导体激光器的使用寿命。
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专利基本信息 ：
专利类型： 实用新型
申请(专利)号： CN201220488638.0
申请日期： 2012-09-21
公开(公告)日： 2013-04-03
公开(公告)号： CN202856145U
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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