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韩晓东 (韩晓东.) (学者:韩晓东) | 刘攀 (刘攀.) | 张泽 (张泽.)

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本发明涉及低维纳米材料显微结构与电学性能的测试装置和方法。该装 置在衬底的上方是非晶层,下方是阻挡层,阻挡层和衬底的中间部分被刻蚀 掉形成窗口,在非晶层上是金属电极,金属电极之间是低维纳米材料,低维 纳米材料位于非晶层上对着窗口的正上方,低维纳米材料上是非晶阻挡层, 金属电极上引出导线。本发明提供了一种转移、固定低维纳米材料的方法, 可以同时对低维纳米材料进行通电测量,可以在原子点阵分辨率下,原位地 测量低维纳米材料的显微结构与电学性能的相关性。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN200910084260.0

申请日期: 2009-05-15

公开(公告)日: 2009-09-30

公开(公告)号: CN101545872A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 未缴年费

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