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吕长志 (吕长志.) | 彭振宇 (彭振宇.) | 张旺 (张旺.) | 张健 (张健.) | 黄月强 (黄月强.) | 孟宪磊 (孟宪磊.) | 范宇 (范宇.) | 刘扬 (刘扬.)

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摘要:

本发明涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置,尤其涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置,通过设定LDO单元中编程电阻的阻值,可以确定PMOS镜像电流源单元的输入电流,PMOS镜像电流源单元的各支路PMOS管的输出电流可通过各支路PMOS输出管和PMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定;NMOS镜像电流源单元的输入电流由其输入端连接的基准电流源确定,NMOS镜像电流源单元的各支路NMOS管的输出电流可通过各支路NMOS输出管和NMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定;根据各支路PMOS管和NMOS管的输出电流大小的差异确定相应输出负载的输出,从而完成编码。本发明编码方法及装置可根据不同的实际情况设定不同的编程电阻,更好的选择电子镇流器的工作方式,并且设计简单、易于实现。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201010172063.7

申请日期: 2010-05-07

公开(公告)日: 2010-09-15

公开(公告)号: CN101833348A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 未缴年费

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