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[专利]
一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件
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本实用型性公开了一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法，属于二极管技术领域。分别采用化学气相沉积法、脉冲激光沉积法和热蒸镀法依次从下至上分别将SiO2、N型InGaZnO和Al沉积在N型硅衬底上。本实用型性肖特基二极管器件反向击穿电压大，反向漏电流小，价格低廉。
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专利基本信息 ：
专利类型： 实用新型
申请(专利)号： CN201120395831.5
申请日期： 2011-10-18
公开(公告)日： 2012-06-06
公开(公告)号： CN202268352U
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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