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外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子 领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、 单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有 源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发 射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻 蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模 功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区 光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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