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一种五结半导体太阳能光伏电池芯片
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本发明公开了一种五结半导体太阳能光伏电池芯片,属于半导体光电子技术领域。本发明在现有Ge/GaInAs/InGaP三结太阳能电池芯片外延材料体系之上增加生长获得AlInAs材料次顶电池芯片和ZnSCdSe材料顶电池芯片,充分吸收太阳辐射分布于紫外波段的大量能流,提高太阳能电池芯片的光电转换效率。
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专利基本信息 :
专利类型: 发明申请
申请(专利)号: CN201010259997.4
申请日期: 2010-08-23
公开(公告)日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN101976689A
申请(专利权): 北京工业大学
法律状态: 授权
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