收录：
摘要：
本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半 导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、 单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有 源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发 射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻 蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模 功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区 光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
