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硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法属于半导体器件领 域。本发明为具有内透明集电区绝缘栅双极晶体管硅材料内透明集电区绝缘 栅双极晶体管的制造方法，能够在器件的集电区附近一定范围内 形成一个极低过剩载流子寿命控制区。其技术方案是利用高剂量氦注入及后 继退火工艺在器件集电区近集电结附近引入局域纳米空腔层，该纳米空腔不 仅可以在硅禁带中心附近引入缺陷能级，大大降低载流子寿命，且具有良好 的高温稳定性，这项技术可以在器件制造最初实施，与常规工艺流程有很好 的工艺兼容性。该项技术，工艺常规，可控性强，适用范围广，有利于实现 低成本和高成品率，且器件性能优良。
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