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硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法，能够在沟槽栅、表面栅和隐埋栅型功率JFET结构中栅极区的下方形成隐埋的局域绝缘层。其技术方案是：将SOI工艺中的SIMOX或SIMNI技术思路以局域化的方式用于纵向导电的功率器件，在制造功率JFET的常规工艺流程中，通过安排绝缘阻挡层生长、栅极区掺杂窗口刻蚀、离子注入和高温退火等四个工艺步骤，来实现隐埋局域绝缘层。本发明与常规工艺流程有很好的工艺兼容性，工艺简单，可控性强，适用范围广，有利于实现低成本和高成品率，制造出性能更优的高频低功耗功率JFET。
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