一种高压功率快恢复二极管及其制造方法，属于半导体器件技术领域。现有高压功率快　恢复二极管正向压降呈负温度特性，因此其热可靠性差。本发明之高压功率快恢复二极管主　结结深为1～3μm，掺杂浓度为1E16～1E18cm-3。结终端由掺磷多晶硅层场板及铝电极场板复　合而成，并且，铝电极与掺磷多晶硅层导通，铝电极场板为多级场板或者无级渐变场板，介　质层位于硅高阻层与掺磷多晶硅层场板及铝电极场板之间。本发明之制造方法制备主结的工　艺参数为，温度：1050～1150℃，推结时间：60～300分钟，注入剂量控制在1×1012～5×1014cm-2　范围内。在制备有主结的硅高阻层上面制作介质层，主结裸露，然后在介质层上面邻近主结　处制作掺磷多晶硅层场板，最后制作铝电极场板，铝电极场板与主结、掺磷多晶硅层场板导　通并覆盖部分介质层。