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一种半导体激光器微通道热沉
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本发明涉及到一种半导体激光器微通道热沉，属于半导体光电子技术领 域。为了改善现有的高功率半导体激光微通道热沉结构型能差、工艺难度大， 成本高等不利现状，本发明利用三层组件结构代替现有五层结构，进而降低 制作难度和成本并提高机械强度，且利用微通道壁的高度变化提高整体散热 性能。这种新型微通道热沉结构实用于当前任何半导体激光列阵和叠阵的制 备。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN200910077833.7
申请日期： 2009-01-23
公开(公告)日： 2009-07-22
公开(公告)号： CN101488640A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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