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一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法
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一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发 光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效 率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学 仪器。本技术利用光效与器件温升和热阻的关系，通过使用电学参数方法， 测量器件的温升和热阻随老化工作时间的变化关系，测出发光器件光效的退 化参数。本技术适用于半导体发光器件产品的质量监控，可靠性分析和寿命 预测的生产和研究等领域。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN200810239394.0
申请日期： 2008-12-12
公开(公告)日： 2009-05-20
公开(公告)号： CN101435852A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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