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图形化导电聚偏氟乙烯的准分子激光制备方法
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本发明涉及一种图形化导电聚偏氟乙烯的准分子激光制备方法，属于导电聚合物材料和激光微加工领域。本发明通过准分子激光掩模直写刻蚀技术完成所需图形的构造的同时，在其表面引入导电活性中心；然后，通过掩模技术控制导电层的生长方向，从而实现图形化导电层的制备。本发明的优点在于：实现了导电聚偏氟乙烯材料导电层图形化的制备。操作步骤简单、制备速度快、图形选择性强。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN200910243647.6
申请日期： 2009-12-18
公开(公告)日： 2010-07-21
公开(公告)号： CN101782722A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 撤回
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