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外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,属于半导体 光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模 激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器 件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直 腔面发射半导体激光器的上DBR中,通过合理的优化光子晶体周期,空气孔 径,刻蚀深度,器件直径,氧化孔径等,得到了单模工作氧化孔径几十微米 、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多 有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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