三轴自对准方法制备的垂直腔面发射激光器属　半导体光电子技术领域。流程如图3－1～9所示，各步骤均用　常规技术，包括以下步骤：光刻；采用光刻胶做掩膜，腐蚀上　分布布拉格反射镜1到欧姆接触层3，并呈双沟状；淀积p型　欧姆接触电极Ti/Pt/Au　2；剥离，只在欧姆接触层3上留有　Ti/Pt/Au；套刻；光刻胶和p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au2共同作　为掩膜，分别向下腐蚀无掩膜保护的上分布布拉格反射镜1和　欧姆接触层3、　AlxGa1－　xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4；去掉光刻胶；　湿氮氧化，控制氧化时间，形成氧化孔径；将样品减薄，抛光，　制备n型欧姆接触电极11。本发明使得光刻精度低的光刻机，　也能获得三轴对准的垂直腔面发射激光器器件，提高生产效　率，降低生产成本。