一种空气柱型垂直腔面发射激光器的结构及其　制备方法，属于半导体光电子领域。结构包括从上往下排列的　p型欧姆接触层1，上分布布拉格反射镜2，AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4，有源区单元6，下分布布拉格反射镜7，缓冲层8，衬底9和n型电极10，特征在于：上分布布拉格反射镜2和AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4之间有腐蚀停层3及AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4和有源区单元6中的p型限制层11之间设置有相位补偿层5。制备方法特征在于：采用选择性腐蚀方法湿法腐蚀上分布布拉格反射镜2至腐蚀停层3，再分别采用选择性湿法腐蚀腐蚀停层3和AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4到相位补偿层5，其余采用常规技术。本结构可用传统的半导体化学湿法腐蚀工艺，降低成本，提高器件的性能，可靠性和生产效率。