硅高速半导体开关器件的制造方法，用于至少含　有一个pn结的硅半导体开关器件的制造，如快恢复二极管，　晶闸管，栅极可关断晶闸管(GTO)，绝缘栅双极晶体管(IGBT)　和双极开关晶体管。方法步骤为：以常规方法制造所说的开关　器件前部各制造步骤直至开始制造金属化电极，在硅片表面制　造铂硅合金，用质子或α粒子注入形成局域高密度缺陷区，加　温退火使缺陷区吸取铂转化为铂杂质区，然后继续按常规方法　进行金属化电极制造和后部制造步骤，直至完成制造。本发明　所制造器件中作为控制寿命的复合中心是高度集中于局部区　域的硅中铂杂质，性能优于现有的寿命控制技术；开关器件可　以具有更高的开关速度和更大的反向恢复软度而又不明显增　加正向压降和反向漏电流。