用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备　方法涉及半导体发光材料的制备工艺。寻找适宜的衬底材料成　为制备高质量ZnO薄膜的关键。现有衬底材料为玻璃、硅单晶、　白宝石、石英、氧化锌陶瓷基片和　ScAlMgO4　(0001)，或因晶格失　配率高，或因成分相差太大，造成薄膜晶体结构缺陷大量存在。　本发明特征在于，它包括以下步骤：生长出位错密度低于　400/cm2钨酸锌单晶；将上述钨酸　锌单晶晶体定向，切割出(100)晶面，偏差小于1°；加工(100)　晶面，平整度＜λ/4，λ＝633nm，粗糙度＜10nm；制备ZnO　薄膜。本发明采用溶胶凝胶法制备的氧化锌薄膜具有特别优良　的结构特性，表面平滑，取向性好，发光性能良好，光致发光　波长396nm，如图所示；易于ZnO薄膜取向，并垂直(0001)　晶面沿c方向生长。