收录:
摘要:
一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及 其制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的 材料的特征在于:它含有氧化钪、铼和钨,其中氧化钪占该电 子发射体材料重量百分比为1-10%,铼占0-5%,其余为钨。 本发明提供的制备方法特征在于,它包括以下步骤:在蓝钨中, 以硝酸钪水溶液形式加入1-10%的氧化钪,同时以铼酸铵水 溶液的形式加入0-5%的铼,在氢气气氛中,500-650℃下 还原0.5-1.5小时,800-1000℃下还原保温1-3小时,得到 掺杂氧化钪的钨粉;将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备 烧结体;浸渍铝酸盐,超声波清洗和退火后,制成电子发射体 材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀,提高了耐高温、 抗离子轰击能力,而且本发明的制备方法工艺重复性好。
关键词:
通讯作者信息:
电子邮件地址: