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异质结双极型晶体管
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一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速 微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺 杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向 输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对 少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不 提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb，从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN99109641.X
申请日期： 1999-07-02
公开(公告)日： 1999-12-15
公开(公告)号： CN1238563A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
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