高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[专利]
金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法
作者：
收录：
摘要：
一种金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法属于 场致电子发射技术领域。本发明的金刚石薄膜冷阴极结构, 包括 金属衬底和金刚石晶粒, 其特征为采用金属Cu作衬底且在金属 衬底上若干个熔融的小孔内生长出金刚石晶粒。其制备方法包 括用微波等离子体清洗Cu, 使Cu熔融形成小孔, 然后采用常规 方法使金刚石晶粒在所限定的小孔内成核、生长。用该方法制 备出的单晶金刚石薄膜冷阴极结构, 具有阈值电压低、场发射电 流密度大且制备温度低的特点。
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN00107439.3
申请日期： 2000-05-15
公开(公告)日： 2000-11-22
公开(公告)号： CN1274020A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 未缴年费
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 2
归属院系：
学院待认领
专利获取
外部链接：
