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王智勇 (王智勇.) (学者:王智勇) | 黄瑞 (黄瑞.) | 兰天 (兰天.) | 李颖 (李颖.)

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本发明实施例提供一种氮化物单晶生长装置及方法,包括:坩埚位于反应室内,加热器位于坩埚外表面,每一单晶生长模块位于坩埚内,坩埚用于放置目标金属熔体,第一电极位于所述坩埚内;对于任一单晶生长模块,导模板位于所述坩埚内,籽晶夹持器的下端与籽晶杆的上端连接,籽晶杆的下端与目标氮化物籽晶的上端连接,目标氮化物籽晶的下端位于导模板的上方,第二电极位于籽晶杆的两侧;第一电极与目标电源的负极连接,第二电极与所述目标电源的正极连接。本发明实施例通过施加电场和导模板相结合的方式,实现了在目标氮化物籽晶上生长目标氮化物单晶的功能,这种方式可以拉制出大尺寸单晶。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN202011133464.1

申请日期: 2020-10-21

公开(公告)日: 2021-03-02

公开(公告)号: CN112430848A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 实质审查

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