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关宝璐 (关宝璐.) | 张炜阳 (张炜阳.) | 黎豪 (黎豪.)

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摘要:

本发明实施例提供一种波导光栅耦合器阵列,包括光栅层、波导层和氧化层;其中,波导层位于氧化层的上方,光栅层在波导层上刻蚀而成;光栅层的刻蚀深度相同,结构对称;光栅层通过将TE模式光栅耦合器中的TE光栅和TM模式单周期光栅耦合器中的TM光栅之间的差集部分刻蚀掉,交集部分刻蚀出一个刻蚀孔形成。本发明实施例通过刻蚀更小的光栅结构将针对TE模设计的光栅耦合器和TM模设计的光栅耦合器结合起来,满足在两个不同的周期内填充系数相同,进而满足波导层对TE、TM有效折射率相同,使用同一光栅结构实现垂直耦合到波导和从波导通过光栅耦合到外部的偏振无关,进而实现双向传输耦合的偏振无关,结构简单,制作方便。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN202011105074.3

申请日期: 2020-10-15

公开(公告)日: 2021-02-26

公开(公告)号: CN112415652A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 实质审查

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