本发明公开了一种VCSEL阵列电极结构及制备方法，包括：具有M×N个VCSEL发光单元的VCSEL发光阵列，VCSEL发光阵列按每m×n个VCSEL发光单元分为多个VCSEL子阵列，相邻VCSEL子阵列之间设有刻蚀至绝缘衬底的隔离沟道；多个VCSEL子阵列的一端保留上DBR结构、另一端刻蚀至下DBR结构且交错布设；每个VCSEL子阵列上设有与其上DBR结构相连的上金属电极和与其下DBR结构相连的下金属电极，任一VCSEL子阵列的上、下金属电极分别与其相邻的VCSEL子阵列的下、上金属电极相连，形成串联导通。本发明通过将原VCSEL阵列中所有发光单元并联驱动的方式调整为串联和并联相结合的方式，大幅度降低了大功率VCSEL阵列芯片所需驱动电流，减小了对驱动电路复杂度的要求。