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本发明公开了一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法，其步骤为：(1)一次加工前的摸底实验，根据辐照条件对器件进行分组；(2)按照辐照条件对器件进行辐照加工，固定辐照方向、辐照环境及冷却系统；(3)在常温常压下储存器件以保证性能达到稳定；(4)测试DLTS深能级瞬态谱，确定缺陷能级位置、浓度及俘获截面参数；(5)测试电学特性参数，包括正向特性、反向特性及开关特性；(6)进行批量加工生产。本发明可以通过改变电子辐照条件控制缺陷能级位置、浓度等参数，重复性好，在进行前期测试后可以进行批量加工，实现按照生产需求定向优化器件各项性能的目标。
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