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应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器
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本发明公开了应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、轻掺杂n型硅、二氧化硅绝缘层、石墨烯薄膜、上金属电极。应用派瑞林N直接生长石墨烯，生长原理简单，生长速度快，石墨烯无需转移，大幅度提升器件制备效率。制得的石墨烯与衬底接触良好，石墨烯薄膜均匀，污染少，因此所得到的探测器一致性好。适合于未来石墨烯—硅肖特基结探测器的大规模产业化制备。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201811231680.2
申请日期： 2018-10-22
公开(公告)日： 2019-01-15
公开(公告)号： CN109216496A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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