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孙捷 (孙捷.) | 熊访竹 (熊访竹.) | 郭伟玲 (郭伟玲.) | 董毅博 (董毅博.) | 樊星 (樊星.) | 苑营阔 (苑营阔.)

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本发明公开了一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法,通过在蓝宝石基的蓝光LED外延片的p型氮化镓表面淀积超薄铂做催化剂,选用乙炔作为碳源,利用等离子增强技术,低温环境中在p型氮化镓表面直接生长石墨烯。最后,利用超薄铂与石墨烯共同组成的透明导电层来增强LED表面的电流扩展和散热。该发明中,石墨烯在LED表面直接生长得到,无需转移,器件制备效率大幅提高,工艺流程大幅简化。该发明有望推动石墨烯透明导电薄膜在蓝光LED衬底上的商业应用。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201910879324.X

申请日期: 2019-09-18

公开(公告)日: 2019-12-24

公开(公告)号: CN110611017A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 实质审查

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