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一种全色堆栈式外延的Micro-LED阵列制备方法
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一种全色堆栈式外延的Micro‑LED阵列制备方法，属于半导体技术领域。堆栈式红、蓝、绿三色发光单元以三列为一周期，其外延结构自下而上在同一导电衬底上堆栈式外延红、绿、蓝三种发光单元作为发光单元，之后再利用掩膜和湿法刻蚀技术制成红、蓝、绿三种发光单元。所述微隔离结构，利用沉积、掩膜、刻蚀技术在所述导电衬底上制备SiO2或者SiNx栅格状微隔离结构，栅格中裸露出所述导电衬底，作为发光单元的外延窗口。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201711228627.2
申请日期： 2017-11-29
公开(公告)日： 2018-05-08
公开(公告)号： CN108010932A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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