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极间厚缓冲层调制器芯片结构
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本发明涉及极间厚缓冲层调制器芯片结构,属于铌酸锂电光调制技术领域。为了实现更低的调制器件功耗,需要得到较低调制半波电压,本发明在调制器芯片行波电极间的缓冲层处进行了加厚处理,能有效增大电光重叠积分,降低器件半波电压。为铌酸锂强度调制器的功耗降低提供了有效方法。
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专利基本信息 :
专利类型: 发明申请
申请(专利)号: CN201910570780.6
申请日期: 2019-06-28
公开(公告)日: 2019-09-24
公开(公告)号: CN110275328A
申请(专利权): 北京工业大学
法律状态: 实质审查
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理学部
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