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一种GaN HEMT器件基板级的微通道‑纳米多孔复合结构蒸发器,属于微电子器件冷却技术领域。在GaN HEMT器件的基板级进行冷却,减少了界面结合材料的使用,大大降低了结温,延长了GaN HEMT器件的使用寿命。本申请由上基板(6)和下基板(5)构成,其中上基板包括纳米多孔区域(2)、流体入口(1)和流体出口(8),下基板的正面刻饰有微通道区域(4)、进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9)。上基板(6)和下基板(5)采用键合技术进行封装处理,保证纳米多孔结构区域(2)和微通道区域(4)较好的接触性。本装置利用纳米孔内液体的相变蒸发散热,具有运行稳定,温度分布均匀、所需工质少、运行压力低等的特点。
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