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一种全色堆栈式外延的Micro‑LED倒装阵列制备方法，属于半导体技术领域。包括具有电极的基板、导电衬底、微隔离结构、堆栈式三色发光单元。微隔离结构为在导电衬底上制备SiO2或者SiNx栅格状微隔离结构，裸露出导电衬底，作为外延窗口。在同一外延衬底上外延红、绿、蓝光三种发光单元，再利用芯片ICP刻蚀技术形成微小二维矩阵，之后利用成熟的倒装焊接技术，将Micro‑LED阵列转移到具有p侧电极的基板上，达到较好的散热效果，提高Micro‑LED出光效率的同时实现每颗Micro‑LED的阳极单点可控。每个发光单元的尺寸尽可能缩小，解决目前单颗发光单元尺寸较大，导致的屏幕分辨率较低的难题。
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