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利用Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法
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利用Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。本发明采用Au纳米颗粒作为Ga2O3薄膜的负载材料来增强Ga2O3材料的催化降解效率。采用直流磁控溅射法在Ga2O3薄膜上沉积一层Au膜，并通过退火的方式使Au薄膜变成Au纳米颗粒形态。本发明利用Au纳米颗粒的等离激元作用来提高Ga2O3材料降解有机污染物的降解效率。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201910051991.9
申请日期： 2019-01-21
公开(公告)日： 2019-04-19
公开(公告)号： CN109647389A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 实质审查
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