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一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法
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一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法，涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术，基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用，通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和生长时间等实验参数得到高均匀性横向ZnO纳米线阵列的紫外探测器。本发明简单有效，提高了探测器均匀性和稳定性。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201710317590.4
申请日期： 2017-05-08
公开(公告)日： 2017-09-01
公开(公告)号： CN107123701A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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