We　have　theoretically　shown　thermophotovoltaic　(TPV)　energy　conversion　with　Ga0.84In0.16As0.14Sb0.86/InAs0.91Sb0.09　tandem　cell,　for　which　both　subcells　have　the　same　lattice　matched　to　GaSb　substrate　and　can　be　experimentally　fabricated　in　a　high　quality.　Under　the　illumination　of　blackbody-like　thermal　spectra,　the　doping　profiles　of　this　device　should　be　controlled　as　${N}_{d{(}{a}{)}}　=　{12}$　(6)　$\times　10^{{17}}$　cm-3　for　top　subcell　while　1018(17)　cm-3　for　bottom　one,　and　energy　conversion　efficiency　superior　to　13%　is　expectable　for　radiator　temperature　ranging　from　1700　to　2000　K,　showing　the　enhancement　in　both　efficiency　and　power　density　output　when　comparing　with　those　for　Ga0.84In0.16As0.14Sb0.86　single-junction　cell.　We　have　thus　demonstrated　a　new　type　of　experimentally　available　dual-junction　cell　to　boost　the　thermal　radiation　conversion　of　TPV　system.　©　1963-2012　IEEE.