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摘要:
本发明公开了一种通过瞬态电流分析阻变存储器内部陷阱的方法,首先测量阻变存储器在正向、负向偏压区域的I‑V曲线,判断阻变存储器的导电机制。由于载流子有机会从陷阱中跃迁出来,所以当施加在存储器上的陷阱填充电压被移开之后,在短时间内监测到瞬态电流的产生。通过对瞬态电流的e指数函数的拟合,得到了相应的时间常数,并且通过分析不同温度对瞬态电流的影响,得到一组随温度变化而变化的时间常数谱。利用阿仑尼乌斯坐标拟合,确定BFO阻变存储器中缺陷对应能级的激活能。通过改变对阻变存储器施加脉冲的填充电压和填充时间,分析时间常数随填充电压和填充时间的变化,结合极化及陷阱填充状态对阻变存储器有序性的影响,利用时间常数分析阻变存储器内部陷阱的填充状态。
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