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紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法,属于复合存储器技术领域;利用磁控溅射镀膜仪制备“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构,然后使用短波长的紫外激光辐照该异质结构,控制激光输入能量,使得GeSbTe薄膜发生相变(晶化或者非晶化)而磁性材料薄膜不发生相变,GeSbTe薄膜由于相变产生的体积效应,诱发磁性薄膜磁畴发生偏转并且这种偏转是可以有效控制的,同时相变和磁畴偏转又是可逆的,从而使得激光可以同时对GeSbTe薄膜和磁性薄膜产生作用和控制,有望实现磁存储和相变光存储的耦合复合存储。
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