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一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法
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一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法，涉及紫外探测技术领域与封装领域。具体地说是利用集成电路一级封装中的金属封装，针对ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装，采用固定的带窗口的金属管底座和管帽，同时利用储能焊工艺及修饰液，保证ZnO纳米线紫外探测器的高增益特性和封装后器件整体的稳定性。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201810013522.3
申请日期： 2018-01-07
公开(公告)日： 2018-06-29
公开(公告)号： CN108231955A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 实质审查
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