高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[专利]
一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法
作者：
收录：
摘要：
一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法，属于半导体材料生长领域。首先利用化学气相沉积法在非金属衬底上生长一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上溅射一层薄金属层，将生长有薄金属层的衬底再次进行石墨烯薄膜的CVD生长，生长完成后去除表面石墨烯薄膜与金属层。本发明改善了非金属衬底上直接生长的石墨烯的质量，经过再次催化生长后，石墨烯薄膜的质量和性能均得到了显著提升。
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201610144523.2
申请日期： 2016-03-14
公开(公告)日： 2016-08-10
公开(公告)号： CN105836733A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 2
归属院系：
信息学部
环境与生命学部
专利获取
外部链接：
