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本发明提供一种高压快恢复二极管结构，具体为一种具有局域p+掺杂区阴极结构的双面终端二极管，包括n‑漂移区、阳极区、局域p+掺杂阴极区和双面终端区；所述双面终端结构包括正面终端区和背面终端区，分别环绕在所述阳极区和阴极区周围，可提高终端结构的面积效率；所述局域p+掺杂区在背面阴极区表面或内部，根据应用需求不同，可采用不同的掺杂剂量、宽度、深度和排列周期，可在反向恢复末期注入空穴，抑制阴极侧的电场尖峰和电流丝化，从而解决了双面终端带来的强穿通效应不利于高压快恢复二极管的坚固性提高和软度改善的问题。
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