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摘要:

一种n型背结双面太阳电池的制备方法,属于太阳电池领域。相比传统硅异质结太阳电池,本发明采用背结结构,即将pn结置于电池背面,并采用n型非晶硅氧代替n型非晶硅,大大提高了电池的短路电流。同时在掺氢的氧化铟与n型非晶硅氧之间,插入了极薄的一层重掺杂的n型非晶硅,进一步改善了接触特性。通过以上几点对传统硅异质结电池结构进行优化,电池转换效率得到了明显的提升,同时整个工艺过程与传统异质结电池相比并未发生变化,其制备时间段、工艺简单,无需特别工艺,在成本方面也有显著优势。

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专利基本信息 :

专利类型: 发明申请

申请(专利)号: CN201610552013.9

申请日期: 2016-07-13

公开(公告)日: 2016-10-12

公开(公告)号: CN106024964A

申请(专利权): 北京工业大学

法律状态: 授权

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