高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[专利]
利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法
作者：
收录：
摘要：
本发明公开了利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，本方法选择NSTO作为基底，通过射频磁控溅射法制备钙钛矿结构BFO铁电薄膜，然后通过直靶溅射在薄膜上制备0.3mmx0.3mm的顶部电极即可。与现有的技术相比，本发明工艺可控性强，易操作，成本低，制得产物纯度高。而且本发明制备的薄膜具有优越的阻变特性，并具有二极管的单向导电特性，这些优越的特性可使BFO铁电薄膜在阻变存储器中获得应用。
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN201710246585.9
申请日期： 2017-04-16
公开(公告)日： 2017-06-13
公开(公告)号： CN106835052A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 驳回
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 5
归属院系：
信息学部
专利获取
外部链接：
