The　results　of　a　study　on　the　electronic　states　and　valence　band　offset　(VBO)　in　heterostructures　of　the　transition　metal　oxide　LaNiO3　(LNO)/SrRuO3　(SRO)　grown　on　(001)　SrTiO3　(STO)　substrates　are　reported.　X-ray　photoelectron　spectroscopy　(XPS)　data　reveal　the　presence　of　Ni2+　states　in　LNO　layer　that　can　develop　a　reduced　bandwidth　of　O-2p　and　Ni-3d.　Further　analysis　of　XPS　data　confirms　the　presence　of　a　VBO,　and　the　value　of　VBO　is　found　to　be　+0.02　eV　and　-0.38　eV　for　the　bilayers　of　STO/LaNiO3/SrRuO3　(BL-1)　and　STO/SrRuO3/LaNiO3　(BL-2),　respectively.　Distinct　signs　of　VBO　are　noticed　between　the　bilayers　due　to　the　relative　shift　of　the　valence　band　of　the　top　layer　with　respect　to　the　bottom　layer.　Such　band　shifts　can　lead　to　the　charge　transfer　across　the　(3d-4d)　interface,　which　significantly　modifies　the　global　electronic　transport　and　magnetic　properties　of　the　bilayers.　A　detailed　discussion　on　the　underlying　physical　phenomena　of　electrical　transport　and　magnetic　responses　triggered　by　the　interface　is　also　incorporated　herein.