为了能够同时提高GaN发光二极管(light　emitting　diode,LED)的光提取效率和内量子效率,将GaN　LED与准对称光波导(包含光栅、Ag薄层和SiO_2层)集成,并基于时域有限差分法对该结构的GaN　LED进行了优化与分析。经模拟计算发现,有源区发出的光在Ag薄层激发了表面等离激元,且表面等离激元与有源区产生了珀塞尔效应,因此显著提高了内量子效率。另外,高透射光栅使得LED的光提取效率得到显著提高,且光栅层使得Ag薄层两侧处形成了折射率准对称的波导结构,这进一步提高了表面等离激元的光提取效率,且Ag薄层两侧的电场呈均匀分布。